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第1333章 自制芯片

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进一步的去想,他不需要像芯片工厂那样去单独提炼高纯度单晶硅,然后再费力气去工业化蚀刻电路,现在就可以借助中频炉内部的能量场,用感应能力做出需要的芯片,工艺和复杂程度当然可以达到那些量产芯片做不到的水平。

硅在常温下不是绝缘体,也不是金属那样的导体,而是一种半导体材料。

高纯硅晶体中掺杂硼、锗、磷或者砷元素形成特殊结构状态,就可以制作出各种不同功能的二极管、三极管、场效应管等晶体管,施加一定电压就可以控制电流通断、走向,搭配不同的电路设计,就可以实现复杂的高密度的电路功能,这也是硅芯片的基本制作原理。

九十纳米工艺的芯片中,理论上在一百平方毫米的芯片内部,可以制作出五亿个不同类型的晶体管,在实际的制作过程中,难以达到这样的密度,曾凡刚才感应到中频炉控制电脑的芯片中,集成的晶体管数目超过了一亿三千万,这已经是三四年前的产品。

当前市面上主流电脑芯片已经演进到了六十五纳米工艺,芯片内部堆叠了八层电路设计,最新的处理器同样面积的芯片已经集成了超过三亿个晶体管,当然同等能耗情况下,运算速度也提升了不止一倍。

曾凡刚才感应了多种不同功能的硅芯片内部结构,以前也看过很多微电子的书籍,借助这种微观感应状态下特殊的时间模式,开始了第一款芯片的构筑过程。

由于特殊的自学和软件研发经历,曾凡对于计算机的软硬件形成了自己独特的认知,他更倾向于将运算芯片和存储芯片集成到一起,这样能达到更高的运算效率。

其实现在的电脑芯片内部也结成了部分存储单元,就是通常的一级缓存、二级缓存、三级缓存,通常只有很小的容量,电脑主要内存还是以独立板卡的形式存在。

至于更多数据的永久保存,当前的主流还是机械电磁硬盘形式,受限于磁盘读取速度,存取效率当然比不上最新型的闪存芯片。

曾凡的想法就是将运算单元、临时存储单元、永久存储单元集成到一起,以前当然只能想想而已,现在有机会自己尝试,当然要做的更加理想化,把曾经的设想变成现实。

在他的微观感应中,可以无限接近理论上的工艺极限,用不到一纳米的间距排布原子制作电路,用更加立体的方式堆叠设计,达到现在的工程师难以想象的晶体管密度。

对曾凡来说,晶体管密度越高制作起来反而越容易。

不同结构的晶体管都大同小异,无论是复杂程度、还是类型数量比起种类高达十几万的蛋白质来说,不可同日而语。

有了先前细胞修复,最近重编多种生物碱基序列的经验,制作芯片内部电路对他来说,只是更加繁琐,复杂程度反而还有所降低了。

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